Syntes och elektrokemiska egenskaper hos tvådimensionell hafniumkarbid.

Beredningen av mxener erhålls huvudsakligen genom selektiv etsning av AL -atomer i maxfasmaterial med AL A -position i HF -syra, NH4HF2 -lösning, LIF- och HCL -blandningslösning och lågt eutektiskt blandat saltmedium. Eftersom det är svårt för övergångsmetaller ZR och HF att bilda maxfas med A AS AL, finns det ingen rapport om MXENES -material från Zr och HF -serien fram till nu. Jämfört med ZR -seriematerial är HF -lamellär karbid svårare att få en enda fas, forskarna baserat på lösningsmetoden för att ställa in enhetscellen i skiktets tänkande, införandet av en liten mängd SI vid AL, med hjälp av SPS -metoden För att syntetisera en ny typ av fast material, i fast lösning som föregångare, med HF Acid Etsing Agent, realiserades med Al (SI) - C Strukturell enhet för selektiv diskriminering, erhölls HF tvådimensionellt mxenesmaterial för första gången. Med hjälp av bindande energi och beräkning av atomladdning klargjordes mikromekanismen för si -doping som främjar hydrofluorinsyras avtagningsprocess. HF-serie av nya tvådimensionella karbidmaterial har potentiella applikationer inom energilagring, vågabsorption och optoelektroniska enheter. Högvolymspecifika kapacitetsmaterial förväntas användas i miniatyriserade energiförsörjningssystem såsom rymdfordon och mobil utrustning.